SK하이닉스, 미국 후공정 투자금 25%는 칩스법 지원
인디애나주 어드밴스드 패키징 공장 신설에 5.9조 투입, 미 상무부 보조금·대출 1.5조 활용
편집자주
미국이 각국에 부과한 상호 관세가 바뀌면서 미국 시장을 겨냥한 기업은 공급망을 재점검해야 한다. 유불리를 따져 관세를 감수하거나, 우회로를 찾아야 한다. 트럼프 행정부는 철강, 칩, 선박, 반도체 등 품목별 관세를 차례로 발표하며 현지 투자 확대를 유도하고 있다. THE CFO는 관세 영향권에 들어간 주요 기업 생산 법인과 매출을 지역 세그먼트별로 분석해 본다.
SK하이닉스는 올해 미국 인디애나주에 인공지능(AI) 메모리 후공정 생산 거점을 조성하는 투자를 시작했다. AI 산업 개화와 함께 고대역폭 메모리(HBM) 수요가 늘면서 어드밴스드 패키징(Advanced Packaging) 등 후공정 분야 첨단 기술 중요성이 커졌기 때문이다. 투자금 40억9000만달러 중 25%(10억2800만달러)는 현지 법인이 미국 반도체지원법(칩스법)을 활용해 조성한다.
SK하이닉스는 국내와 중국에 D램, 낸드 생산 기지를 구축했다. 올 상반기 말 연결 기준 비유동 자산은 72조2274억원(금융상품·이연법인세자산·퇴직급여자산·보험계약에서 발생하는 권리 취득액 제외) 규모다. 지역별 비중은 △국내 84%(60조9807억원) △중국 15%(10조5778억원) △미국 1%(6489억원) 순이다.
매출 지역은 미국에 쏠려 있다. 지난해부터 HBM 매출이 성장하면서 미국 지역 매출 비중이 과반인 구조로 바뀌었다. 2020년만 해도 미국과 중국 지역 매출 비중은 각각 40%(12조6861억원), 38%(12조2176억원)로 근소한 차이였다. 지난해 매출 비중은 미국이 63%(41조9611억원), 중국이 23%(15조5336억원)로 2배 넘게 벌어졌다.
올해도 비슷한 흐름이 이어졌다. 올 상반기 SK하이닉스 연결 기준 매출은 전년 동기 대비 38% 성장한 39조8711억원이다. 지역별 매출 비중은 △미국 70%(27조8344억원) △중국 18%(7조3650억원) △중국 제외 아시아 8%(2조9975억원) △국내2%(8506억원) △유럽 2%(8235억원) 순이다.
HBM 수요에 대응하는 설비 투자는 국내와 미국으로 나눠 집행 중이다. 국내는
웨이퍼를 제조하고 회로를 새기는 전공정 팹(FAB), 미국은 칩 패키징을 담당하는 후공정 공장 신설 투자가 주를 이룬다. 미국에는 어드밴스드 패키징 공장을 새로 짓는다. 어드밴스드 패키지 기술은 HBM 핵심 요소 중 하나다. 종류가 다른 칩(이종 칩)을 하나로 모으고, D램을 수직으로 쌓아 대역폭을 늘리는 기술이다.
SK하이닉스는 국내에 3각 축을 구축하는 중장기 목표를 이행해 가고 있다. 경기도 이천팹은 본사 기능과 연구개발(R&D)·마더 팹(Mother FAB)·D램 생산 기지 역할을 수행한다. 충청북도 청주 팹은 낸드 플래시 중심 생산 기지, 경기도 용인 팹은 D램과 차세대 메모리 생산 기지로 키운다.
올 4분기에는 청주에 신규 팹 M15X를 완공한다. M15X는 내년부터 HBM을 포함한 D램을 생산한다. 지난해 4월부터 약 5조3000억원을 들여 팹을 짓고 있다. 순차적 장비 투자까지 포함한 투자 규모는 20조원 이상이다.
용인 반도체 클러스터 부지에 들어가는 1기 팹(약 9조4000억원)도 지난 3월 착공했다. 내후년 2분기 오픈이 목표다. HBM을 비롯한 차세대 D램을 생산할 팹이다. 용인 반도체 클러스터 사업은 약 415만㎡ 부지에 차세대 반도체 생산 팹 4개를 건설하는 프로젝트다.
해외 생산 기지는 중국이 주축이다. 2021년 인텔 낸드 플래시 사업부를 인수하며 종속기업으로 편입한 다롄 낸드 팹(SK hynix Semiconductor(Dalian)) 규모가 가장 크다. 지난해 말 다롄 팹 자산총계는 10조1804억원이다. 이외에 우시에 올 상반기 말 자산총계 8조8292억원 규모 D램 팹(SK hynix Semiconductor(China)), 충칭에 자산총계 1조2323억원 규모 패키징 공장(SK hynix Semiconductor(Chongqing))을 가동 중이다. 중국 팹은 범용(레거시) D램 수요에 대응하는 기지로 계속 활용할 계획이다.
미국 신규 패키징 공장 투자는 현지 반도체 판매 법인(SK hynix America) 100% 자회사(SK hynix Semiconductor West Lafayette, 이하 인디애나 공장)가 진행한다. 부지는 인디애나주 웨스트라피엣(West Lafayette)에 있다. 건설·설비 등을 포함한 투자 규모는 40억9000만달러(약 5조9000억원)다. 투자 기간은 올 1월부터 2039년 12월까지다.
인디애나 공장은 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품을 양산한다. SK하이닉스는 본사에서 전공정을 마친 HBM 웨이퍼를 가져와 인디애나 공장에서 완제품으로 생산할 계획이다.
지난해 말 기준 인디애나 공장 자산총계는 204억원이다. SK하이닉스는 출자 외에 칩스법을 이용해 투자금을 마련한다. 지난해 12월 SK하이닉스 이사회가 승인한 인디애나 공장 초기 출자금은 3억달러(약 4000억원)다. 출자금은 올해 안에 집행할 계획이다.
인디애나 공장 투자금 4분의 1은 칩스법 보조금과 대출로 마련한다. 현지 법인이 지난해 12월 미국 상무부와 보조금 지원 계약(DFA)과 대출(Loan) 지원 계약(LGA)을 체결했다. SK하이닉스는 미 상부부에 손자회사 DFA 이행(한도 4억5800만달러)·대출 상환(한도 5억7000만달러) 의무를 보증하는 보증·출자 약정을 맺었다. 채무 보증 금액은 총 10억2800만달러(약 1조4750억원)다. 보증 기간은 2045년 12월까지다.
SK하이닉스는 국내와 중국에 D램, 낸드 생산 기지를 구축했다. 올 상반기 말 연결 기준 비유동 자산은 72조2274억원(금융상품·이연법인세자산·퇴직급여자산·보험계약에서 발생하는 권리 취득액 제외) 규모다. 지역별 비중은 △국내 84%(60조9807억원) △중국 15%(10조5778억원) △미국 1%(6489억원) 순이다.
매출 지역은 미국에 쏠려 있다. 지난해부터 HBM 매출이 성장하면서 미국 지역 매출 비중이 과반인 구조로 바뀌었다. 2020년만 해도 미국과 중국 지역 매출 비중은 각각 40%(12조6861억원), 38%(12조2176억원)로 근소한 차이였다. 지난해 매출 비중은 미국이 63%(41조9611억원), 중국이 23%(15조5336억원)로 2배 넘게 벌어졌다.
올해도 비슷한 흐름이 이어졌다. 올 상반기 SK하이닉스 연결 기준 매출은 전년 동기 대비 38% 성장한 39조8711억원이다. 지역별 매출 비중은 △미국 70%(27조8344억원) △중국 18%(7조3650억원) △중국 제외 아시아 8%(2조9975억원) △국내2%(8506억원) △유럽 2%(8235억원) 순이다.
HBM 수요에 대응하는 설비 투자는 국내와 미국으로 나눠 집행 중이다. 국내는
웨이퍼를 제조하고 회로를 새기는 전공정 팹(FAB), 미국은 칩 패키징을 담당하는 후공정 공장 신설 투자가 주를 이룬다. 미국에는 어드밴스드 패키징 공장을 새로 짓는다. 어드밴스드 패키지 기술은 HBM 핵심 요소 중 하나다. 종류가 다른 칩(이종 칩)을 하나로 모으고, D램을 수직으로 쌓아 대역폭을 늘리는 기술이다.
SK하이닉스는 국내에 3각 축을 구축하는 중장기 목표를 이행해 가고 있다. 경기도 이천팹은 본사 기능과 연구개발(R&D)·마더 팹(Mother FAB)·D램 생산 기지 역할을 수행한다. 충청북도 청주 팹은 낸드 플래시 중심 생산 기지, 경기도 용인 팹은 D램과 차세대 메모리 생산 기지로 키운다.
올 4분기에는 청주에 신규 팹 M15X를 완공한다. M15X는 내년부터 HBM을 포함한 D램을 생산한다. 지난해 4월부터 약 5조3000억원을 들여 팹을 짓고 있다. 순차적 장비 투자까지 포함한 투자 규모는 20조원 이상이다.
용인 반도체 클러스터 부지에 들어가는 1기 팹(약 9조4000억원)도 지난 3월 착공했다. 내후년 2분기 오픈이 목표다. HBM을 비롯한 차세대 D램을 생산할 팹이다. 용인 반도체 클러스터 사업은 약 415만㎡ 부지에 차세대 반도체 생산 팹 4개를 건설하는 프로젝트다.
해외 생산 기지는 중국이 주축이다. 2021년 인텔 낸드 플래시 사업부를 인수하며 종속기업으로 편입한 다롄 낸드 팹(SK hynix Semiconductor(Dalian)) 규모가 가장 크다. 지난해 말 다롄 팹 자산총계는 10조1804억원이다. 이외에 우시에 올 상반기 말 자산총계 8조8292억원 규모 D램 팹(SK hynix Semiconductor(China)), 충칭에 자산총계 1조2323억원 규모 패키징 공장(SK hynix Semiconductor(Chongqing))을 가동 중이다. 중국 팹은 범용(레거시) D램 수요에 대응하는 기지로 계속 활용할 계획이다.
미국 신규 패키징 공장 투자는 현지 반도체 판매 법인(SK hynix America) 100% 자회사(SK hynix Semiconductor West Lafayette, 이하 인디애나 공장)가 진행한다. 부지는 인디애나주 웨스트라피엣(West Lafayette)에 있다. 건설·설비 등을 포함한 투자 규모는 40억9000만달러(약 5조9000억원)다. 투자 기간은 올 1월부터 2039년 12월까지다.
인디애나 공장은 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품을 양산한다. SK하이닉스는 본사에서 전공정을 마친 HBM 웨이퍼를 가져와 인디애나 공장에서 완제품으로 생산할 계획이다.
지난해 말 기준 인디애나 공장 자산총계는 204억원이다. SK하이닉스는 출자 외에 칩스법을 이용해 투자금을 마련한다. 지난해 12월 SK하이닉스 이사회가 승인한 인디애나 공장 초기 출자금은 3억달러(약 4000억원)다. 출자금은 올해 안에 집행할 계획이다.
인디애나 공장 투자금 4분의 1은 칩스법 보조금과 대출로 마련한다. 현지 법인이 지난해 12월 미국 상무부와 보조금 지원 계약(DFA)과 대출(Loan) 지원 계약(LGA)을 체결했다. SK하이닉스는 미 상부부에 손자회사 DFA 이행(한도 4억5800만달러)·대출 상환(한도 5억7000만달러) 의무를 보증하는 보증·출자 약정을 맺었다. 채무 보증 금액은 총 10억2800만달러(약 1조4750억원)다. 보증 기간은 2045년 12월까지다.
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